| 专利名称 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 | 申请号 | CN201610842272.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106283175A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天 | 主分类号 | C30B9/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B9/12(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 至一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3，其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解，并增强了高温溶剂对溶质的溶解；有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度，使得其生长温度在500℃以下，较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低，有效地节约了能源；反应采用密闭容器，优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬，极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗；整个方法简单易操作，有利于推广。 |
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