| 专利名称 | 窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201510144900.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106145082A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 姚亚刚;唐磊 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 至窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。在一较佳实施例之中，该制备方法包括：采用含钼的前躯体溶液在高温下分解并被H2还原后呈现固态的高熔点金属钼作为催化剂，在St?Cut石英基底上利用化学气相沉积法(Chemical?Vapor?Deposition,CVD)制备窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列。利用本发明的技术能实现单壁碳纳米管水平阵列的手性可控制备，且工艺简单易操作，所获产物为具有良好形貌的窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列，在微纳电子器件、光学器件、化学生物传感器等领域有广阔的应用前景。 |
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