| 专利名称 | 一种确定薄膜连续性的临界厚度的方法 | 申请号 | CN201610363752.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106017338A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 贺涛;王凯;褚卫国;张先锋 | 主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种确定薄膜连续性的临界厚度的方法 至一种确定薄膜连续性的临界厚度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种确定薄膜连续性的临界厚度的方法。所述方法包括：在光谱椭偏仪上设置色散公式模型和拟合方式；在衬底上生长的薄膜的厚度小于预设的薄膜厚度的情况下，采用间接拟合法获取薄膜的反射光偏振态的相位差和反射系数振幅比所对应的正切角度分别随入射光波长的变化曲线图；在衬底上生长的薄膜的厚度大于或等于预设的薄膜厚度的情况下，采用直接拟合法获取薄膜的反射光偏振态的相位差和反射系数振幅比所对应的正切角度分别随入射光波长的变化曲线图；根据变化曲线图确定薄膜的连续性的临界厚度。本发明解决了目前确定薄膜连续性的临界厚度困难的问题，对于纳米光电器件的精确制备和应用、以及相关的理论研究具有重要的指导意义。 |
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