| 专利名称 | 全半导体中红外可调频吸收器 | 申请号 | CN201610544412.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106019432A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 郑婉华;王少华;王宇飞;祁帆;郭小杰;马庆艳 | 主分类号 | G02B5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 全半导体中红外可调频吸收器 至全半导体中红外可调频吸收器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种全半导体中红外可调频吸收器，包括：一n(p)型掺杂半导体层，为矩形；两个第一偏压控制部分，其制作在n(p)型掺杂半导体层相对的两端；一本征半导体介质隔离层，其制作在n(p)型掺杂半导体层的上面，该本征半导体介质隔离层的长度小于两个第一偏压控制部分之间的距离；多个n(p)型掺杂半导体光栅条，形成光栅层，其条宽相同或每两个n(p)型掺杂半导体光栅条为一组，其中一个条宽小于另一个的宽度，该多个n(p)型掺杂半导体光栅条纵向制作在本征半导体介质隔离层的上面，该n(p)型掺杂半导体光栅条激发表面等离激元模式；两个第二偏压控制部分，其制作在本征半导体介质隔离层的上面、n(p)型掺杂半导体光栅条的两端。 |
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