| 专利名称 | 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 | 申请号 | CN201510067685.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990477A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张峰;池田昌夫;周坤;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 至具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一量子垒层中的铟含量由P型侧向N型侧逐渐升高。本发明器件因采用复合渐变量子垒结构，可以降低量子阱区的极化电场，增加电子和空穴的复合效率，以及改善空穴输运，减小阱间空穴分布不均匀性，并且减小电子泄露，进而可明显提高发光二极管等器件的发光效率，并显著抑制其效率下降等问题，同时，其制备工艺简单可控，易于规模化实施。 |
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