| 专利名称 | 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 | 申请号 | CN201610258335.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789438A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;刘琦;龙世兵 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 至一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器，该制备方法包括：通过大马士革铜互连工艺在沟槽中形成铜引线，所述铜引线包含用于生长存储介质的铜下电极，所述铜引线设置于第一盖帽层上方；在所述铜引线上方形成第二盖帽层；在所述第二盖帽层上与所述铜下电极相对应的位置制作孔洞，所述孔洞用于暴露所述铜下电极；对所述铜下电极构图化合处理生成化合物阻挡层，所述化合物阻挡层为元素Cu、Si及N化合形成的化合物或者为元素Cu、Ge及N化合形成的化合物；在所述化合物阻挡层上沉积固态电解液材料和上电极。通过上述技术方案，解决了现有技术中Cu基阻变存储器中Cu离子的注入效率较高的技术问题，提高了存储器的疲劳特性。 |
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