| 专利名称 | 薄膜晶体管及其制备方法和显示装置 | 申请号 | CN201610226727.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789284A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 梁凌燕;谢玉芳;曹鸿涛;吴卫华;张胜男;王妹 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜晶体管及其制备方法和显示装置 至薄膜晶体管及其制备方法和显示装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示装置，其中薄膜晶体管包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层。其中，沟道层为锌锡氮薄膜；锌锡氮薄膜的化学式为：ZnxSnyNz；x为锌锡氮薄膜中锌元素的原子含量，y为锌锡氮薄膜中锡元素的原子含量，z为锌锡氮薄膜中氮元素的原子含量。其通过采用锌锡氮薄膜作为沟道层的薄膜晶体管除了可应用于平板显示，同时还可应用于光发射和宽光谱光电探测领域等。最终有效解决了传统的薄膜晶体管的应用较为单一，应用范围具有一定的局限性的问题。 |
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