| 专利名称 | 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 | 申请号 | CN201721830326.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207624732U | 公开（授权）日 | 2018.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陆江;刘海南;卜建辉;张国欢;罗家俊 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/04(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I | 专利有效期 | 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 至一种霍尔基片结构及霍尔传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请实施例提供的一种霍尔基片结构及霍尔传感器，涉及半导体器件技术领域，所述锁存器包括：N阱；电极VHA，所述电极VHA设置在所述N阱上；电极VHB，所述电极VHB设置在所述N阱上；氧化层填充区，所述氧化层填充区设置在所述N阱上；其中，所述氧化层填充区的两侧分别为所述电极VHA和所述电极VHB。解决了现有技术使用增加P型掺杂提高灵敏度时，精度及工艺控制能力有限的问题，达到了保证对N阱区的挤压效果，形成的N阱尺寸精度高，易于控制的技术效果。 |
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