| 专利名称 | 一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构 | 申请号 | CN201721811773.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207624699U | 公开（授权）日 | 2018.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张国峰;王永良;张雪;荣亮亮;王镇;谢晓明 | 主分类号 | H01L27/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/18(2006.01)I;H01L39/04(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I;G01R33/035(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构 至一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。 |
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