| 专利名称 | 一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法 | 申请号 | CN201611005366.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107447255A | 公开（授权）日 | 2017.12.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈创天;吴若飞;王晓洋;刘丽娟 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法 至一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法，其制备步骤如下：将钾源材料、铍源材料和硼源材料按照摩尔比K:Be:B＝1～6:1～4:1～5的比例混合，放入水热釜，加入矿化剂水溶液，使钾源材料、铍源材料和硼源材料的混合原料溶于矿化剂水溶液中，高温高压水热条件下保持7?15天，之后以1?10℃/小时的降温速率降至室温，过程中实现氟代硼铍酸钾的自发成核结晶生长得到氟代硼铍酸钾非线性光学晶体；矿化剂溶液为碱金属的氢氧化物、碱金属的卤化物、铵的氢氧化物或铵的卤化物；高温为320～450℃，高压为200～1200个大气压；具有生长速度较快，成本低等优点；所得KBe2BO3F2非线性光学晶体较强的倍频输出，较高的光学质量等优点。 |
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