| 专利名称 | 一种新型带隙基准电路结构 | 申请号 | CN201710313141.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107066006A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 纪书江;霍长兴;刘璟 | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种新型带隙基准电路结构 至一种新型带隙基准电路结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种新型带隙基准电路结构，包括偏置模块，正温度系数电流产生模块，负温度系数电流产生模块，电流加和模块，其中正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管；第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连，第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连；第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。 |
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