| 专利名称 | 一种应变量子点的制备方法及应变量子点 | 申请号 | CN201610457787.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105977145A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;王刚;孙银波;狄增峰;王曦 | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 一种应变量子点的制备方法及应变量子点 至一种应变量子点的制备方法及应变量子点 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H+离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H+离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。 |
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