| 专利名称 | 一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法 | 申请号 | CN201610245059.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105906365A | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 袁方利;孙志强 | 主分类号 | C04B38/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B38/00(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法 至一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低温烧结制备多孔陶瓷的方法。本发明采用硅溶胶包覆陶瓷颗粒的方法，实现颗粒的表面改性，使难以烧结的陶瓷粉体能够在较低温度下发生表面熔融，促进颗粒间烧结传质，形成高强颈部。典型的制备方法是：将注凝成型试剂，包括有机单体，MBAM，(NH4)2S2O4，TEMED溶解于一定浓度的硅溶胶中，配置为预混液；将原料颗粒放入预混液中，控制pH实现颗粒的包覆；随后将颗粒堆积造孔并置于一定温度下反应聚合固化；最后将生坯进行干燥和低温烧结，得到多孔陶瓷。本发明涉及的低温烧结陶瓷技术，不仅对孔结构不造成损坏，还具有工艺简便的特点，制备的多孔陶瓷可用于高温分离领域。 |
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