| 专利名称 | 一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法 | 申请号 | CN201610172703.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105841844A | 公开（授权）日 | 2016.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | G01K15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01K15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法 至一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法，包括：(1)测试衬底解析时的热偶温度T1；(2)衬底解析后降温，观察确认表面再构发生变化后，关闭用于保护衬底的束源，升温，观察并记录衬底表面再构恢复时的热偶温度T2；(3)衬底降至室温，在衬底表面覆盖非晶层，然后升温，观察并记录非晶层脱附时的热偶温度T3；(4)根据衬底在热偶温度分别为T1、T2和T3时的表面实际温度值，利用B样条函数建立衬底表面实际温度与热偶温度的关系，即可。本发明可以精确获得分子束外延中衬底表面的实际温度，具有快速、简便、准确的特点，对于研究分子束外延材料生长动力学和精确控制微纳结构材料的生长具有重要的实际应用价值。 |
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