一种原子层沉积修饰的限域催化剂的制备方法及其应用

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专利名称 一种原子层沉积修饰的限域催化剂的制备方法及其应用 申请号 CN201610128733.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105771972A 公开(授权)日 2016.07.20 申请(专利权)人 中国科学院山西煤炭化学研究所 发明(设计)人 覃勇;王眉花;高哲;杨慧敏;张斌 主分类号 B01J23/42(2006.01)I IPC主分类号 B01J23/42(2006.01)I;C07C215/76(2006.01)I;C07C213/02(2006.01)I 专利有效期 一种原子层沉积修饰的限域催化剂的制备方法及其应用 至一种原子层沉积修饰的限域催化剂的制备方法及其应用 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种原子层沉积修饰的限域催化剂的制备方法和应用是利用原子层沉积技术,在碳纳米纤维模板上先后沉积超薄的氧化物层,Pt纳米粒子和厚的氧化物层,然后在空气中煅烧除去碳纳米纤维模板,得到氧化物超薄修饰的限域在氧化物纳米管内的Pt基催化剂。本发明制备的催化剂,极大地改善了传统催化剂金属?氧化物界面位点有限的缺陷,与没有超薄修饰的限域Pt催化剂和未限域的Pt催化剂相比,超薄修饰的限域Pt催化剂对四硝基苯酚的还原加氢活性最好,可以被推广到其他多相催化剂的制备。

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