| 专利名称 | 低相位噪声射频频率合成电路 | 申请号 | CN201610195107.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105763190A | 公开（授权）日 | 2016.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 邱紫敬 | 主分类号 | H03L7/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H03L7/18(2006.01)I | 专利有效期 | 低相位噪声射频频率合成电路 至低相位噪声射频频率合成电路 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开了低相位噪声射频频率合成电路，包括低相噪晶振，低相噪晶振与一级信号放大器的输入端连接，一级信号放大器的输出端与一级SBD三倍频器的输入端连接，一级SBD三倍频器的输出端与二级信号放大器的输入端连接，二级信号放大器的输出端与调制器的第一输入端连接，调制器的第二输入端接入三角波，调制器的输出端与二级SBD三倍频器的输入端连接，二级SBD三倍频器的输出端与三级信号放大器的输入端连接。具有相位噪声低、谐杂波特性优良、易于调试等优点。利用这种电路可显著改善铷频标微波探寻信号的相位噪声，降低交调效应对铷频标频率稳定度的限制。 |
1、源头对接，价格透明
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