| 专利名称 | 压电加速度传感器 | 申请号 | CN201721848561.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207585759U | 公开（授权）日 | 2018.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 毛利萍;李鑫;董显林;王根水 | 主分类号 | G01H11/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G01H11/08(2006.01)I;G01P15/09(2006.01)I | 专利有效期 | 压电加速度传感器 至压电加速度传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型的压电加速度传感器，包括外壳、底座、压电陶瓷元件、紧固件和质量块，压电陶瓷元件具有环状且中心对称的压电陶瓷层和环状且中心对称的内电极层；压电陶瓷层的外周侧上隔着间隔且中心对称地设有作为外电极的导电层，内电极层的外周侧上隔着间隔且中心对称地形成有电极缺口，导电层与电极缺口相对应；压电陶瓷元件由两层以上的压电陶瓷层和内电极层相互堆叠共烧而成，且形成为如下结构：压电陶瓷层相邻两侧的内电极层相互呈规定角度，内电极层的电极缺口与压电陶瓷层的导电层连接形成并联电路。根据本实用新型的多层压电陶瓷元件的压电系数高，而且体积小，可减小对配重质量的要求，从而具有灵敏度高、频率响应范围宽、重量轻等优点。 |
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