| 专利名称 | 薄膜晶体管结构可见盲光电探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201710127219.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106876515A | 公开（授权）日 | 2017.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 曹鸿涛;余静静;梁凌燕;张莉莉;吴卫华;梁玉;宋安然 | 主分类号 | H01L31/112(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/112(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜晶体管结构可见盲光电探测器及其制备方法 至薄膜晶体管结构可见盲光电探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种薄膜晶体管结构可见盲光电探测器，其包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、半导体沟道以及位于栅极和半导体沟道层之间的栅介质层；薄膜晶体管结构可见盲光电探测器还包括一层透明的互补型半导体薄膜和透明的金属氧化物薄膜，该互补型半导体薄膜位于半导体沟道层的远离栅介质层一侧，该互补型半导体薄膜适于与半导体沟道层形成pn结，金属氧化物薄膜设置在半导体沟道层和互补型半导体薄膜之间。本申请还公开了一种薄膜晶体管结构可见盲光电探测器的制备方法。互补型半导体薄膜与半导体沟道层形成的pn结能够产生内建电场来阻碍光生电子和光生空穴的重组，延长了光生载流子的寿命，使得紫外可见光抑制比增大。 |
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