| 专利名称 | 一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构 | 申请号 | CN201610406792.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105908254A | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨建荣;徐超 | 主分类号 | C30B25/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构 至一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等辅助手段，该工艺腔体能有效减小腔体内源材料的泄漏，改善材料制备工艺的稳定性和工艺状态的均匀性。通过对外层套管的设计，并适当选择工艺腔体各部分的温度分布，套管式工艺腔体还具有对泄漏出来的源材料进行收集的功能，减少源材料泄漏对材料制备系统的污染。本发明弥补了普通开管式材料制备工艺中源材料泄漏量大的不足，规避了闭管式材料制备工艺的高成本，特别适用于材料的批生产制备工艺。 |
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