| 专利名称 | 一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置 | 申请号 | CN201721623900.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207552442U | 公开（授权）日 | 2018.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 姜辛;刘鲁生;黄楠 | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置 至一种大面积热丝CVD金刚石薄膜生长装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种大面积热丝化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长装置。该装置设有密闭的反应腔体，反应腔体内的上部设有气体喷淋环，气体喷淋环通过管路与外部气源连接，反应腔体的外侧设有抽真空系统和真空测控系统；气体喷淋环下方于反应腔体内，平行依次布置热丝、基片、导电层、绝缘层、水冷样品台，基片、导电层、绝缘层叠放于水冷样品台上，水冷样品台通过转轴与外部调速电机相连接。本实用新型可以实现在大面积基片上快速、均匀沉积金刚石薄膜电极，减少反应气体的消耗，沉积过程中能测控热丝的温度、工件表面的温度和反应腔内的压强，能准确控制金刚石薄膜沉积各项主要工艺参数，工艺重复性好。 |
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