| 专利名称 | 一种高集成度高压延迟缓启动装置 | 申请号 | CN201721502102.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207542992U | 公开（授权）日 | 2018.06.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 王博;赵卫;白永林;朱炳利;陈震;曹伟伟;缑永胜;白晓红;秦君军 | 主分类号 | H02M1/36(2007.01)I | IPC主分类号 | H02M1/36(2007.01)I;H02M1/34(2007.01)I | 专利有效期 | 一种高集成度高压延迟缓启动装置 至一种高集成度高压延迟缓启动装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种高集成度高压延迟缓启动装置，能够简单可靠地实现高压电源的平稳延迟启动，避免高压过冲对光电探测器的损坏。该装置包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管；通过在“高压幅值控制端”和“高压电源”之间加入缓启动电路，其中利用RC充放电、MOS管可变阻值以及光控MOS管的结合，当MOS管Q1栅端为有效高电平，MOS管Q3跟随MOS管Q2状态缓变化，使得光控MOS管中MOS管导通，这时高压幅值控制端被强拉于“地”，随后发光二极管发光逐渐减弱，MOS由导通变为截止，高压幅值控制端缓慢变为有效输入端，则后端高压电源缓慢启动。 |
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