| 专利名称 | 高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片 | 申请号 | CN201721683340.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207529952U | 公开（授权）日 | 2018.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹高奇;邵秀梅;李雪;杨波;邓双燕;程吉凤;于一臻;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片 至高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片，在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为：InP接触层、铟镓砷(InGaAs)吸收层、氧化硅(SiO2)介质层、源极金属电极、石墨烯层、漏极金属电极以及栅极金属电极，如附图所示。本专利的优点在于：一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，能够拓宽该新型InGaAs探测器光谱响应至近紫外，同时能够增加InGaAs层的光吸收；此外，石墨烯具有极高的迁移率和极快的载流子传输特性，使得该探测器对光生载流子的注入拥有极高的量子增益特性。 |
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