| 专利名称 | 一种二维范德华异质结光电探测器 | 申请号 | CN201721095156.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207529954U | 公开（授权）日 | 2018.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维范德华异质结光电探测器 至一种二维范德华异质结光电探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种二维范德华异质结光电探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应。 |
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