| 专利名称 | 一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201510337321.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106257693A | 公开（授权）日 | 2016.12.28 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 焦国华;刘波;杨春雷;鲁远甫;董玉明;刘鹏;陈良培;罗阿郁 | 主分类号 | H01L31/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/115(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法 至一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法。该中子探测器包括：基底；吸收层，位于基底上，吸收层由CuInSe2形成；CdS层，位于吸收层上并且与吸收层形成异质结，CdS层包括暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；ZnO层，位于CdS层上，并且包括与第一接触孔对应且暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；第一电极，与ZnO层接触；第二电极，通过第一接触孔和第二接触孔与吸收层接触，并且与第一电极隔开预定距离。本发明采用诸如CuInSe2/CdS半导体异质结层替代SiC来制备耐辐照的半导体中子探测器，一方面可以降低成本，另一方面可以克服大面积面阵型探测器制作上的难题。 |
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