| 专利名称 | 铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用 | 申请号 | CN201610518121.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106205772A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;张昱;朱朋莉;李刚 | 主分类号 | H01B1/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用 至铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用，该铜基导电浆料是通过将预处理后的纳米铜颗粒均匀分散于导电浆料溶液中得到的，以该铜基导电浆料的总质量为100％计，所述纳米铜颗粒占该铜基导电浆料总质量的10～90％。本发明还提供了一种应用所述铜基导电浆料的芯片封装铜铜键合方法。该方法利用铜基导电浆料中所含纳米铜颗粒小尺寸带来的低熔点性能，促进铜铜界面在较低温度和较小压力下进行键合，并可以有效保证键合强度和效率，且该方法工艺简单、成本低廉、环境友好，所以通过该方法可以实现倒装芯片互连的低温高密度封装集成。 |
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