| 专利名称 | 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法 | 申请号 | CN201610798783.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106185784A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 明安杰;刘卫兵;孙西龙;王玮冰;陈大鹏 | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法 至基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述基于湿法预释放结构的MEMS红外光源包括嵌入式空腔的承载衬底及所述承载衬底上的红外光源结构；所述红外光源结构设有支撑层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述图形化金属电极沉积在隔离层上面，所述辐射层制备在图形化金属电极上表面，所述辐射层、图形化金属电极、隔离层、支撑层均沉积在具有所述嵌入式空腔的衬底上。本发明能够提高光源的辐射效率，操作简单，功耗和成本较低，稳定性高，且与CMOS工艺兼容。 |
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