| 专利名称 | 一种具有低电阻率、线性电阻特性的碳化硅/石墨复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610367998.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106045520A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 姚秀敏;黄政仁;蒋金弟;刘学建 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有低电阻率、线性电阻特性的碳化硅/石墨复合材料及其制备方法 至一种具有低电阻率、线性电阻特性的碳化硅/石墨复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有低电阻率、线性电阻特性的碳化硅/石墨复合材料及其制备方法，所述碳化硅/石墨复合材料由碳化硅相和在烧结过程中由碳相转变而来的石墨相组成，不含第三相物质，所述石墨相的含量为10?20wt%，所述碳化硅/石墨复合材料的热导率为110?160W·m?1·K?1，直流电阻率为10～750Ω·cm且不随电压变化，交流电阻模值为0.5～45Ω且不随频率变化。本发明的复合材料仅含碳化硅和石墨相，不含第三相物质，通过调节石墨相的含量可以获得具有高热导性、低电阻率、线性电阻特性的碳化硅/石墨复合材料。 |
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