| 专利名称 | 缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法 | 申请号 | CN201610243008.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105887022A | 公开（授权）日 | 2016.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 邵建达;柴英杰;朱美萍;邢焕彬;易葵 | 主分类号 | C23C14/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法 至缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法，通过引入缝合层来降低基板微米级坑点/划痕导致的多层膜膜层形变，从而使高反膜横向力学均匀性提高，不易断裂，有效提高其抗损伤性能。其中缝合层采用等离子体辅助电子束蒸发方式来调控薄膜应力。本发明有效的隔离了基板凹陷缺陷对薄膜表面功能层的影响，可以极大程度地缝合基板坑点/划痕缺陷对薄膜抗激光损伤性能的影响，具有成本低，针对性强，效率高，简单易行的特点。 |
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