| 专利名称 | 一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法 | 申请号 | CN201510024107.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105839189A | 公开（授权）日 | 2016.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 孟祥敏;王磊;黄兴;夏静;黄奔;朱丹丹 | 主分类号 | C30B29/64(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/64(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法 至一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。 |
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