| 专利名称 | 高发光效率LED外延片及其制备方法 | 申请号 | CN201610183107.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789393A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵德刚;杨静 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 高发光效率LED外延片及其制备方法 至高发光效率LED外延片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高发光效率LED外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上。本发明是通过插入一层GaN表面修复层，并优化表面修复层的生长参数，修复降温过程中由于GaN分解引起的表面损伤，使量子阱生长在光滑的GaN表面上，提高量子阱的界面质量，减少多量子阱区的缺陷密度。 |
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