一种晶体材料、其制备方法及应用该晶体的磁制冷材料

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专利名称 一种晶体材料、其制备方法及应用该晶体的磁制冷材料 申请号 CN201410738420.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105714378A 公开(授权)日 2016.06.29 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 汤莹莹;何长振 主分类号 C30B29/22(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/22(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C01G11/00(2006.01)I;C09K5/14(2006.01)I 专利有效期 一种晶体材料、其制备方法及应用该晶体的磁制冷材料 至一种晶体材料、其制备方法及应用该晶体的磁制冷材料 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本申请公开了一种晶体材料,其特征在于,所述晶体的分子式为Gd2Cu(SO4)2(OH)4,属单斜晶系,空间群P21/c,晶胞参数为α=γ=90°,β=98.3~98.4°,Z=2。所述晶体材料的磁热效应远大于DGG,具有很好的致冷性能。本申请还公开了所述晶体的制备方法。该制备方法简单,适合大规模工业化生产,具有广阔的市场前景。

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