专利名称 | 一种三维碳负极材料的制备方法及应用 | 申请号 | CN201610035653.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN105695953A | 公开(授权)日 | 2016.06.22 | 申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 郭玉国;叶欢;殷雅侠 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;H01M4/587(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/054(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种三维碳负极材料的制备方法及应用 至一种三维碳负极材料的制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三维碳材料的制备方法及应用。所述三维碳材料由碳纳米球修饰,碳纳米球是由石墨片卷曲成类洋葱似结构。本发明碳材料采用化学气相沉积技术实现类洋葱结构碳球的制备。所述三维碳材料可以实现可逆嵌脱钠,呈现斜坡式电压行为,解决现有方法制备的二次电池负极材料枝晶生长,提高电池安全性,改善比容量低,稳定性差,循环性能差,放电平台高和首次库伦效率低等问题。所述负极材料以泡沫镍作为骨架直接用作电极,无粘结剂,成本低,方法简单,适合大规模生产,具有应用潜力。 |
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