| 专利名称 | 一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610040913.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105693237A | 公开（授权）日 | 2016.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 顾燕;刘志甫;李永祥 | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法 至一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法，所述高耐压陶瓷电介质材料为钙钛矿结构，其击穿场强大于20?kV/mm。所述高耐压陶瓷电介质材料中分布的晶粒的尺寸为100-500nm。本发明的提供的高耐压陶瓷电介质材料，与相同组成的微米级高耐压陶瓷电介质材料相比，具有更高的直流击穿场强，并且温度稳定性变得更好。 |
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