| 专利名称 | 用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置 | 申请号 | CN201721355011.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207427326U | 公开（授权）日 | 2018.05.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 寇经纬;余建成;张伟刚;王彦超;李红光 | 主分类号 | H04N5/268(2006.01)I | IPC主分类号 | H04N5/268(2006.01)I;H04N5/372(2011.01)I;G01J1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置 至用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于激光探测技术领域，具体涉及一种用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置。该探测装置包括CCD传感器、前置放大与预处理单元、采样转换机构、FPGA控制器、PHY芯片和光纤网络接口。本实用新型探测装置主要用于高功率激光的近场测量，能够很好的探测不同强度分布的激光，从而实现精密的近场测量。同时，该探测装置针对高功率激光进行近场测量时的高信噪比要求，能够实现高动态范围，高信噪比，低非均匀性成像，并且能够稳定输出高质量激光测量图像。此外，该探测装置能够进行采样位置的灵活选取和采样数据的高效处理，使得图像信噪比提高的同时数据处理的灵活性也极大增强。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障