| 专利名称 | 一种气态靶中子源 | 申请号 | CN201710078364.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106683737A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 吴宜灿 | 主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种气态靶中子源 至一种气态靶中子源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开一种气态靶中子源，包括：离子注入系统、差分真空系统和气态靶，所述离子注入系统用于产生单束或多束平行离子束流，所述单束或多束平行离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，所述差分真空系统用于将所述离子束流传输至所述气态靶；所述气态靶中包括反应气体，所述反应气体与所述离子束流发生聚变反应，产生中子，由于本申请中所述离子注入系统能够产生单束或多束平行离子束流，每束所述离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，使得所述单束离子束流包络小于差分真空系统中各个管道或法兰内径，避免束流轰击管壁造成能量损失，从而提高了到达气态靶的离子束流的流强，进而能够提高中子源的源强。 |
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