| 专利名称 | 噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池 | 申请号 | CN201610906545.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106432265A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 王鹏;王俊婷;李阳;董献堆 | 主分类号 | C07D495/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D495/14(2006.01)I;C07D409/04(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池 至噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明提供了一种噻吩类化合物、其制备方法与应用、钙钛矿太阳电池，该噻吩类化合物如式(I)所示，R1与R1′各自独立地为H、C1～C12烃基或C1～C12烷氧基；R2、R3与R4各自独立地为H、C1～C12烃基、C1～C12烷氧基或C1～C12烷氧基取代的苯基。与现有技术相比，本发明提供的噻吩类化合物为并三噻吩、噻吩并吡咯或双噻吩并环戊二烯与两个三芳胺共轭偶联的结构，使其空穴迁移率较高，进而提高使具有该噻吩类化合物制备而成的空穴输运层的钙钛矿太阳电池具有较高的能量转换效率。 |
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