| 专利名称 | 一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201610227869.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105870245A | 公开（授权）日 | 2016.08.17 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;许凯;王振兴 | 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/113(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法 至一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法，属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域。本发明通过采用界面调控的方法，蒸镀一层金属层作为成核点，生长高k介电常数的氧化铪层，从而制备顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管。本发明的方法具有工艺简单、操作方便，可控性高、成本低和速度快等优点，便于规模化推广。本发明的光电晶体管显示出n型传输特性和优异的栅极调控能力，亚阈值摆幅可低至95mV/dec，漏电流可低至1pA/μm。同时，器件的光响应时间短，而且保持了长时间的稳定性，响应时间和响应度分别可达650ms和45mA/W。 |
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