| 专利名称 | 一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用 | 申请号 | CN201610244438.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789451A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 李永舫;王彬彬;张志国 | 主分类号 | H01L51/44(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用 至一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。 |
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