| 专利名称 | 氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201410776660.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105762236A | 公开（授权）日 | 2016.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙逸;孙钱;刘建平;张书明;张立群;李德尧;杨辉 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I | 专利有效期 | 氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 至氮化物超辐射发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面上还设有下电极，而在所述电极接触层上设有上电极，其特征在于所述外延结构层上部包含有脊型波导结构，所述脊型波导结构主要由直线区、弧形区和倾斜区中的任意两种以上的组合构成。本发明还公开了前述SLD的制备方法。本发明的SLD器件兼具高输出功率和高质量的输出光谱，稳定性好，使用寿命长。 |
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