| 专利名称 | 低成本稀土闪烁晶体的生长 | 申请号 | CN201610115971.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105714374A | 公开（授权）日 | 2016.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 薛冬峰;孙丛婷 | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I | 专利有效期 | 低成本稀土闪烁晶体的生长 至低成本稀土闪烁晶体的生长 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物作为原料进行混合后，得到混合原料；所述RE包括Gd、La和Y中的一种或多种；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，结合稀土闪烁晶体生长过程中的界面处的键合结构，确定优势生长方向，采用相应的具有特定生长方向的籽晶，从而缩短了生长过程时间，降低了生长成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障