| 专利名称 | 场发射电子源装置 | 申请号 | CN201720435947.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207338290U | 公开（授权）日 | 2018.05.08 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 石伟;梁栋;洪序达;胡战利;蒋昌辉 | 主分类号 | H01J3/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J3/02(2006.01)I;H01J9/44(2006.01)I | 专利有效期 | 场发射电子源装置 至场发射电子源装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及场致电子发射领域。为了解决场发射阴极测试与老化过程中电流发射稳定性等问题，本实用新型提供了一种场发射电子源装置，其包括二极式场发射电子源、真空腔、真空泵机组、高压电源、高压脉冲驱动单元、真空环境监测单元和控制平台。二极式场发射电子源设置于真空腔内，并且，高压电源和高压脉冲驱动单元经真空腔法兰分别连接至二极式场发射电子源的阳极与阴极。控制平台经通讯线缆分别连接至高压电源、真空环境监测单元以及高压脉冲驱动单元。本实用新型通过对场发射电压进行反馈补偿，从而实现发射电流的稳定控制，具有较强的实用性。 |
1、源头对接，价格透明
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