| 专利名称 | 超导腔整腔表面化学缓冲全自动抛光系统 | 申请号 | CN201721383329.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207347661U | 公开（授权）日 | 2018.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 游志明;何源;熊平然;郭浩;李璐 | 主分类号 | C23F3/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F3/06(2006.01)I;C23F1/08(2006.01)I | 专利有效期 | 超导腔整腔表面化学缓冲全自动抛光系统 至超导腔整腔表面化学缓冲全自动抛光系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及离子加速器超导腔加工技术领域，尤其是涉及一种超导腔整腔表面化学缓冲全自动抛光系统。其特点是包括混酸槽，混酸槽上端通过管路与制冷机组相连，混酸槽内设置有热交换器，混酸槽下端通过管路与酸液输送泵相连，酸液输送泵通过管路与过滤器相连，过滤器通过管路与超导腔下端和超纯水水泵相连，超纯水水泵通过管路与超纯水水箱相连，超导腔上端通过管路分别与混酸槽上端和观察窗相连，高纯氮气罐通过管路与混酸槽与超导腔之间的管路相连；其通过采用计算机对酸液的流量、流速、温度、压力和时间进行严格控制，可以实现多型号超导腔的化学缓冲抛光。而且具有很强的抗腐蚀性、高度的安全性、可靠性、可控性和易操作性。 |
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