| 专利名称 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 | 申请号 | CN201611247869.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106673047A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;王东;黄冲 | 主分类号 | C01G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 至一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法，所述方法包括：将摩尔比1:1～1.2:1的过渡金属M粉末和过渡金属M的氧化物粉末作为反应原料，与质量为反应原料总质量的0.5～2.5倍、优选0.5～2倍的碱金属卤化物充分混合后，真空封装于反应器中，于900～1100摄氏度反应5～10小时，得到过渡金属一氧化物粉体，将该过渡金属一氧化物粉体进行放电等离子体烧结，得到过渡金属一氧化物靶材，并将该过渡金属一氧化物靶材生长薄膜，得到过渡金属一氧化物薄膜。本发明能够低温、快速制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜。 |
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