| 专利名称 | 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池 | 申请号 | CN201720645616.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207282509U | 公开（授权）日 | 2018.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;俞健;刘金宁;刘毓成 | 主分类号 | H01L31/072(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池 至双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障