| 专利名称 | 一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统 | 申请号 | CN201611223179.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106683736A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 吴宜灿 | 主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G21G4/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统 至一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氘氚聚变中子源的高载热靶系统，包括氘束流、束流扫描驱动装置、靶片、靶片驱动装置、冷却结构、冷却介质、冷却介质循环系统、束流传输腔室、冷却介质动密封结构、真空动密封结构；束流扫描驱动装置用于驱动氘束流移动；氘束流位于束流传输腔室内移动；靶片驱动装置驱动靶片移动；靶片设置在氘束流的移动路径上；氘束流轰击所述靶片形成的靶点；冷却结构设置在靶点所在的靶片区域；冷却介质填充在冷却结构内；冷却介质通过所述冷却介质循环系统实现循环，利用该发明可实现强流氘氚聚变中子源的氚靶系统在承受大于100kw/cm2的氘束流轰击下，维持靶面温度小于200℃，保证氚靶系统的稳定正常运行，进而产生中子源强达1013?1015n/s的14MeV高能聚变中子。 |
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