| 专利名称 | 极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法 | 申请号 | CN201710011142.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106773546A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张恒;李思坤;王向朝;诸波尔;孟泽江;成维 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法 至极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种极紫外光刻三维接触孔掩模衍射谱快速仿真方法。该三维接触孔掩模从下至上依次由基底(1)、多层膜(2)、吸收层(3)三个主要部分构成。所述的接触孔掩模其吸收层(3)中的图形为矩形开孔图形。该方法首先将三维接触孔掩模按照分离变量法分解成过接触孔矩形图形中心且平行于矩形长宽两方向的对应纵截面上的二维掩模，然后采取严格电磁场仿真的波导法对两二维掩模进行衍射谱仿真，最后将仿真得到的两二维掩模衍射谱相乘得到三维接触孔掩模衍射谱。本发明可快速准确的仿真极紫外光刻三维接触孔掩模的衍射谱。 |
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