| 专利名称 | 空穴型半导体异质结霍尔棒 | 申请号 | CN201720754071.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207217593U | 公开（授权）日 | 2018.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I | 专利有效期 | 空穴型半导体异质结霍尔棒 至空穴型半导体异质结霍尔棒 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了空穴型半导体异质结霍尔棒。其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。 |
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