| 专利名称 | 基于单个囚禁离子的单光子源 | 申请号 | CN201710043857.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106683976A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明（设计）人 | 陈亮;何九洲;李冀;刘志超;冯芒 | 主分类号 | H01J63/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J63/00(2006.01)I;H01J63/02(2006.01)I;H04B10/70(2013.01)I | 专利有效期 | 基于单个囚禁离子的单光子源 至基于单个囚禁离子的单光子源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括参砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，参砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分别设置有共光轴的两个多模光纤，两个多模光纤的相对的端面为凹面，凹面的表面设置介质膜，两个多模光纤的凹面的焦点重合，两个多模光纤的凹面之间形成光学微腔，本发明实现单个离子的多普勒极限冷却。单光子源具有很高的产生效率。便于与现有的光通信系统连接。使制备的单光子线宽达到离子能级跃迁的自然线宽。 |
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