| 专利名称 | 高偏振消光比超导纳米线单光子探测器 | 申请号 | CN201510593862.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106558632A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李浩;尤立星;王镇 | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 高偏振消光比超导纳米线单光子探测器 至高偏振消光比超导纳米线单光子探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高偏振消光比超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜的表面；介质层，位于所述高反膜的表面，且包覆所述超导纳米线；光栅结构，位于所述介质层的表面。本发明的高偏振消光比超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底，采用正面光耦合方式可避免了衬底Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率；通过光栅结构尺寸设计可实现非目标极化光滤波功能，进而有效提高器件探测效率及偏振消光比。 |
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