| 专利名称 | 一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台 | 申请号 | CN201610670222.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299014A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 张军;马健;白冰;李力;刘乃乐;潘建伟 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台 至一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种近红外单光子雪崩光电二级管的参数优化方法及平台，相关方法包括：获取输入的近红外单光子雪崩光电二级管的在预定工作温度下的结构参数；根据结构参数并结合高斯方程计算近红外单光子雪崩光电二级管的电场分布，进而得到近红外单光子雪崩光电二级管倍增层各位置的雪崩概率；根据得到的雪崩概率与电场分布计算近红外单光子雪崩光电二级管的本征参数。该方案适合于所有采用分离吸收—渐变—电荷—倍增(SAGCM)异质结结构的III?V材料体系，实现了单光子雪崩光电二极管结构参数和工作条件的全局优化。 |
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